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(金色铝壳电阻)
(gold aluminum case resistance)
高(中)压变频器用晶闸管(SCR)、可关断可控硅(GTO)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、集成门极换流晶闸管(IGBT)等。
洛阳金沙总站6165地址电话 SCR, GTO, IGBT and IGBT for high (medium) voltage inverter.
(开关变压器)
(switching transformer)
用于整流桥的半导体整流器件有:电力二极管整流桥、可控硅半桥,可控硅全桥和IGBT。
The semiconductor rectifying devices used for rectifying bridge are: power diode rectifying bridge, half bridge of thyristor, full bridge of thyristor and IGBT.
用于逆变桥的功率半导体开关器件有:晶闸管(SCR)、双极型晶体管(GTR)、门极可关断可控硅(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应晶闸管(P-MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、MOS控制晶闸管(MCT)、静电感应晶体管(SIT)、智能功率模块洛阳金沙总站6165地址服务(IPM)、集成门极换流晶闸管(IGCT)。低压变频器逆变桥和智能功率模块(IPM)。
The power semiconductor switching devices used in the inverter bridge are: SCR, GTR, GTO, GTR, p-MOSFET, IGBT, MCT, sit, IPM, integrated gate Pole commutated thyristor (IGCT). Low voltage inverter bridge and intelligent power module (IPM).
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